Kabar

Ing manufaktur chip modern, landasan nyedhiyakake dhukungan fisik lan jalur boros panas, dene lapisan epitaxial nemtokake watesan kinerja listrik piranti kasebut. Artikel iki nyedhiyakake analisis jero babagan beda dhasar antarane substrat silikon kristal tunggal lan substrat silikon karbida lan proses epitaxial CVD / MBE, lan nyritakake kepiye teknologi epitaxial nambah kinerja piranti frekuensi dhuwur lan tegangan dhuwur kanthi nyuda Kapadhetan cacat lan nggabungake teknik galur. Apa sampeyan insinyur proses utawa pembuat keputusan pengadaan, pandhuan iki bakal mbantu sampeyan kanthi cepet ngenali strategi pilihan wafer sing paling cocog.

Analisis jero babagan penyebab kuning pinggir lan peeling lapisan silikon karbida ing susceptor grafit epitaksi MOCVD. VeTek ngilangi stres mikro kanthi tepat ngontrol tingkat deposisi CVD lan lapangan aliran, nambah asil lapisan saka 50% dadi 90% lan ndawakake umur layanan bagean grafit kemurnian dhuwur.

Ngatasi variasi kekandelan saku-kanggo-kantong 1.4% ing susceptor grafit epitaksi silikon multi-kantong, VeTek Semi ningkatake kerataan susceptor dadi <0.08mm lan ngurangi variasi dadi 0.69% liwat simulasi lapangan aliran CVD lan lapisan SiC ultra-presisi, ningkatake asil wafer.