Graphite keropos

Produser substrat SiC umume nggunakake desain crucible kanthi silinder grafit keropos kanggo proses lapangan panas. Desain iki nambah area penguapan lan volume pangisian daya. Proses anyar wis dikembangake kanggo ngatasi cacat kristal, nyetabilake transfer massa, lan nambah kualitas kristal SiC. Iki nggabungake metode fiksasi baki kristal tanpa biji kanggo ekspansi termal lan nyuda stres. Nanging, pasokan pasar sing winates saka grafit crucible lan grafit keropos nyebabake tantangan kanggo kualitas lan ngasilake kristal tunggal SiC.

Fitur Utama VeTek Semiconductor Porous Graphite:

1.Toleransi lingkungan suhu dhuwur - Produk bisa tahan lingkungan 2500 derajat Celsius, nuduhake resistensi panas sing apik banget.

2. Kontrol porositas sing ketat - VeTek Semiconductor njaga kontrol porositas sing ketat, njamin kinerja sing konsisten.

3.Kemurnian ultra-dhuwur - Bahan grafit keropos sing digunakake entuk tingkat kemurnian sing dhuwur liwat proses pemurnian sing ketat.

4. Kemampuan naleni partikel permukaan sing apik - VeTek Semiconductor nduweni kemampuan naleni partikel permukaan sing apik lan tahan kanggo adhesi bubuk.

5.Transportasi, difusi, lan keseragaman gas - Struktur keropos grafit nggampangake transportasi lan difusi gas sing efisien, nyebabake keseragaman gas lan partikel sing luwih apik.

6. Kontrol kualitas lan stabilitas - VeTek Semiconductor nandheske kemurnian dhuwur, isi impurity kurang, lan stabilitas kimia kanggo njamin kualitas ing wutah kristal.

7.Kontrol suhu lan keseragaman - Konduktivitas termal grafit keropos mbisakake distribusi suhu seragam, nyuda stres lan cacat nalika tuwuh.

8.Enhanced difusi solute lan tingkat wutah - Struktur keropos dipun promosiaken malah distribusi solute, nambah tingkat wutah lan uniformity saka kristal.