Panrima LED UV

VeTek Semiconductor minangka pabrikan khusus ing UV LED Susceptors, wis pirang-pirang taun riset lan pangembangan lan pengalaman produksi ing susceptors LED EPI, lan wis diakoni dening akeh pelanggan ing industri.

LED, yaiku, dioda pemancar cahya semikonduktor, sifat fisik luminescence kasebut yaiku sawise persimpangan semikonduktor pn energized, miturut drive potensial listrik, elektron lan bolongan ing materi semikonduktor digabungake kanggo ngasilake foton, supaya bisa entuk luminescence semikonduktor. Mulane, teknologi epitaxial minangka salah sawijining dhasar lan inti LED, lan uga minangka faktor penentu utama kanggo karakteristik listrik lan optik LED.

Teknologi Epitaxy (EPI) nuduhake pertumbuhan materi kristal tunggal ing substrat kristal tunggal kanthi susunan kisi sing padha karo substrat. Prinsip dhasar: Ing substrat sing dipanasake nganti suhu sing cocog (utamane substrat safir, substrat SiC lan substrat Si), zat gas indium (In), gallium (Ga), aluminium (Al), fosfor (P) dikontrol menyang permukaan. saka substrat kanggo tuwuh film kristal tunggal tartamtu. Saiki, teknologi pertumbuhan lembaran epitaxial LED utamane nggunakake metode MOCVD (deposisi meteorologi kimia logam organik).

Bahan substrat epitaxial LED

1. LED abang lan kuning:

GaP lan GaAs umume digunakake substrat kanggo LED abang lan kuning. Substrat GaP digunakake ing metode epitaksi fase cair (LPE), ngasilake dawa gelombang sing amba 565-700 nm. Kanggo metode epitaksi fase gas (VPE), lapisan epitaksi GaAsP ditumbuhake, ngasilake dawa gelombang antara 630-650 nm. Nalika nggunakake MOCVD, substrat GaAs biasane digunakake kanthi tuwuhing struktur epitaxial AlInGaP. 

Iki mbantu ngatasi kekurangan panyerepan cahya saka substrat GaAs, sanajan iki ngenalake ketidakcocokan kisi, sing mbutuhake lapisan buffer kanggo ngembangake struktur InGaP lan AlGaInP.

VeTek Semiconductor nyedhiyakake susceptor EPI LED kanthi lapisan SiC, lapisan TaC:

VEECO LED EPI panrima lapisan TaC digunakake ing LED EPI susceptor

2. LED biru lan ijo:

 ● Substrat GaN: Kristal tunggal GaN minangka substrat becik kanggo pertumbuhan GaN, ningkatake kualitas kristal, umur chip, efisiensi cahya, lan kapadhetan saiki. Nanging, persiapan sing angel mbatesi aplikasi.

Sapphire Substrat: Sapphire (Al2O3) minangka substrat sing paling umum kanggo pertumbuhan GaN, nyedhiyakake stabilitas kimia sing apik lan ora ana panyerepan cahya sing katon. Nanging, ngadhepi tantangan karo konduktivitas termal ora cukup ing operasi dhuwur saiki Kripik daya.

● Substrat SiC: SiC minangka substrat liyane sing digunakake kanggo pertumbuhan GaN, peringkat nomer loro ing pangsa pasar. Nyedhiyakake stabilitas kimia sing apik, konduktivitas listrik, konduktivitas termal, lan ora ana panyerepan cahya sing katon. Nanging, rega sing luwih dhuwur lan kualitas sing luwih murah dibandhingake sapir. SiC ora cocok kanggo LED UV ing ngisor 380 nm. Konduktivitas listrik lan termal sing apik banget saka SiC ngilangi kabutuhan ikatan flip-chip kanggo boros panas ing LED GaN jinis daya ing substrat sapir. Struktur elektroda ndhuwur lan ngisor efektif kanggo boros panas ing piranti LED GaN jinis daya.

panrima Epitaxy LED MOCVD Susceptor karo TaC Coating

3. Deep UV LED EPI:

Ing epitaxy LED ultraviolet jero (DUV), LED UV jero utawa DUV LED Epitaxy, bahan kimia sing umum digunakake minangka substrat kalebu aluminium nitrida (AlN), silikon karbida (SiC), lan gallium nitride (GaN). Bahan kasebut nduweni konduktivitas termal sing apik, insulasi listrik, lan kualitas kristal, saengga cocok kanggo aplikasi LED DUV ing lingkungan sing nduweni daya dhuwur lan suhu dhuwur. Pilihan materi substrat gumantung faktor kayata syarat aplikasi, proses fabrikasi, lan pertimbangan biaya.

SiC Coated Deep UV LED Susceptor TaC Coated Deep UV LED Susceptor