Menu Web

Panelusuran Produk

Basa

Layanan & Sumber Daya

Bahan & Desain

Milih kombinasi substrat lan lapisan sing cocog minangka kunci kanggo nyegah kegagalan komponen prematur, nyuda kontaminasi partikel, lan maksimalake asil wafer. We nyedhiyani materi ngarang lan solusi desain struktural watara jendhela proses tartamtu customer (suhu operasi, kimia gas reaktif, tarif ramp).

Kapabilitas Desain Inti Kita:

  • Pencocokan Stress CTE sing ketat:Kanggo siklus termal kanthi cepet (> 100 ° C / min), kita cocog karo kurva suhu CTE saka substrat grafit kemurnian dhuwur lan lapisan CVD, kanthi dhasar nyuda risiko delaminasi lapisan lan retak mikro.
  • Proses-Skenario-Spesifik Coating Pilihan:Lapisan CVD SiC kanggo Si / SiC epitaxy (Epi), MOCVD, lan lingkungan etsa plasma; Lapisan CVD TaC kanggo suhu sing luwih dhuwur lan kahanan korosif banget (contone, wutah PVT kristal tunggal SiC).
  • Resistivitas Kontrol & Optimisasi Konduktivitas Termal:Kontrol sing tepat saka resistivity akeh lan konduktivitas termal saka substrat lan lapisan kanggo nyukupi syarat listrik lan medan termal khusus saka RF, ESC electrostatic chucks, utawa Zona Pemanasan.
  • Kontrol Sumber Kontaminasi & Pengurangan CoO:Lapisan deposisi CVD kanthi kemurnian dhuwur kanthi padhet nutup grafit keropos, kanthi signifikan nyuda pelepasan partikel, panyebaran kotoran logam ultra-trace, lan risiko outgassing suhu dhuwur.

Perbandingan Pilihan Coating Khas (Pandhuan Sekilas)

Lapisan Arah Aplikasi Khas Kaluwihan inti
CVD SiC Epitaksi Si/SiC (Epi), MOCVD, etsa plasma parsial Kemurnian dhuwur, stabilitas termal sing apik, tahan korosi kimia, kinerja biaya sakabèhé sing dhuwur
CVD TaC Pertumbuhan kristal tunggal (PVT) suhu dhuwur SiC, komponen bantalan beban suhu dhuwur sing ekstrim Rating suhu sing luwih dhuwur (> 1600 ° C), tahan karat sing kuat, tahan oksidasi sing apik

Kasus Nyata & Keuntungan Pelanggan (Pengalaman):

Produsen SiC epitaxy (Epi) terkemuka:Komponen asli nggunakake lapisan CVD TaC sing ora cocog, nyebabake stres antarmuka sing gedhe banget lan kerep retak mikro ing suhu dhuwur. Kita mlayu maneh simulasi termodinamika lan ngalih menyang aSubstrat grafit kemurnian tinggi khusus sing cocog karo CTE + lapisan buffer + lapisan CVD SiCsolusi. Asil: umur komponen rata-rata tambah saka 200 jam dadi 850 jam; frekuensi panggantos taunan saben alat dropped saka 40 kanggo 9 kaping; penghematan biaya peralatan lengkap O&M ngluwihi RMB 650,000 saben taun.

GDMS purity analysis report for TaC coating GDMS purity analysis report for SiC coating

Laporan analisis kemurnian GDMS kanggo lapisan TaC lan SiC

FAQ

1. Q: Kepiye carane milih antarane lapisan CVD SiC lan lapisan CVD TaC?

▼

A:Deleng suhu proses lan intensitas korosi fase gas. Yen suhu proses ing ngisor 1000 ° C lan utamane nglibatake etsa adhedhasar Cl₂/F₂ utawa epitaksi konvensional, pilihCVD SiCkanggo kinerja biaya paling apik; yen suhu proses ngluwihi 1200 °C lan melu atmosfer korosif banget (contone, wutah kristal tunggal SiC PVT), disaranakeCVD TaC, sing nawakake suhu sing unggul lan tahan karat. Kita bisa nyedhiyakake laporan rekomendasi pilihan gratis adhedhasar paramèter proses tartamtu.

2. Q: Apa sampeyan ndhukung prototyping siji-potongan / kumpulan cilik? Apa wektu timbal?

▼

A:ya wis! Kanggo prototipe reverse-engineering,MOQ punika 1 Piece. Kanggo bagean prasaja konvensional, saka panrimo sampel kanggo pangiriman bagean sing dipetakan, wektu timbal paling cepet kira-kira10-15 dina kerja; kanggo bagean nglibatno pangolahan nutupi Komplek iku kira-kira20-25 dina kerja. Hubungi insinyur kita kanggo evaluasi kanthi cepet.

3. Q: Apa sing nyebabake delaminasi lapisan CVD ing bagean grafit nalika digunakake? Apa bisa ditanggulangi?

▼

A:90% kasus delaminasi disebabake ora cocog antarane koefisien ekspansi termal (CTE) saka substrat grafit lan lapisan, sing ndadékaké peeling kesel ing pemanasan / pendinginan kanthi cepet. Solusi kita: pisanan ngukur kurva CTE bagean asli sampeyan, banjur setel khusus Kapadhetan substrat lan gradien suhu deposisi supaya loro CTE kasebut cocog banget. kekuatan Bond bisa apik kanggo luwih saka1,5 kapingtingkat industri konvensional.

4. P: Apa sampeyan bisa nyedhiyakake CoA (Sertifikat Analisis) kanggo produk kasebut? Data apa sing kalebu?

▼

A:Saben produk dikirim standar karo anomer serial unik + laporan CoA lengkap. Laporan kasebut kalebu: data inspeksi CMM dimensi kritis, peta distribusi ketebalan lapisan multi-titik, nilai kekasaran permukaan (Ra), lan kesimpulan analisis kemurnian materi (GDMS).

Miwiti Layanan Eksklusif Saiki

Hubungi Kita Langsung Njaluk Kutipan

Telpon: +86-18069220752(Tina);+86-15988690905(Sera)

Email: anny@veteksemi.com

Sample MappingBahan & DesainOptimasi & Produksi MassalQC & Logistik
Rekomendasi News
Porous Tantalum Carbide: Bahan generasi anyar kanggo pertumbuhan kristal SiC
Porous Tantalum Carbide: Bahan generasi anyar kanggo pertumbuhan kristal SiCNdeleng Liyane >>
apa karbon glassy? - dokter
apa karbon glassy? - dokterNdeleng Liyane >>
Kepiye Cara Ngatasi Variasi Kanthong-kanggo-Kanthong Tinggi ing Susceptor Grafit Epitaxy Silicon Multi-Pocket?
Kepiye Cara Ngatasi Variasi Kanthong-kanggo-Kanthong Tinggi ing Susceptor Grafit Epitaxy Silicon Multi-Pocket?Ndeleng Liyane >>
Kepiye cara entuk pertumbuhan kristal berkualitas tinggi? - Tungap wutah kristal SIC
Kepiye cara entuk pertumbuhan kristal berkualitas tinggi? - Tungap wutah kristal SICNdeleng Liyane >>
Apa keramik SIC?
Apa keramik SIC?Ndeleng Liyane >>
Apa sing ditolak ing wafers?
Apa sing ditolak ing wafers?Ndeleng Liyane >>
X
Kita nggunakake cookie kanggo menehi pengalaman browsing sing luwih apik, nganalisa lalu lintas situs lan nggawe konten pribadi. Kanthi nggunakake situs iki, sampeyan setuju kanggo nggunakake cookie. Kebijakan Privasi
nolakNampa