Kode QR
Produk
Hubungi Kita


Fax
+86-579-87223657

Email

alamat
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang Province, China
Ing proses suhu dhuwur semikonduktor, penanganan, ndhukung, lan perawatan termal wafer gumantung ing komponen pendukung khusus - prau wafer. Nalika suhu proses mundhak lan karesikan lan syarat kontrol partikel mundhak, prau wafer kuarsa tradisional mboko sithik mbukak masalah kayata umur layanan sing cendhak, tingkat deformasi sing dhuwur, lan tahan korosi sing kurang.Perahu wafer keramik silikon karbida (SiC).muncul ing konteks iki lan wis dadi operator utama ing peralatan pangolahan termal dhuwur.
![]()
Silicon carbide (SiC) minangka bahan keramik teknik sing nggabungake kekerasan dhuwur, konduktivitas termal sing dhuwur, lan stabilitas kimia sing apik.Keramik SiC, dibentuk liwat sintering suhu dhuwur, ora mung ngetokne resistance kejut termal unggul nanging uga njaga struktur stabil lan ukuran ing lingkungan oxidizing lan korosif. Akibaté, nalika digawe ing wangun wafer boat, iku bisa andal ndhukung pangolahan suhu dhuwur kayata difusi, anil, lan oksidasi, dadi utamané cocok kanggo pangolahan termal operasi ing suhu ndhuwur 1100 ° C.
Struktur wafer boats biasane dirancang karo multi-layered, konfigurasi kothak paralel, saged nyekeli Welasan utawa malah atusan wafer bebarengan. Kaluwihan saka keramik SiC kanggo ngontrol koefisien ekspansi termal nggawe dheweke kurang rentan kanggo deformasi termal utawa microcracking sajrone proses ramp-up lan ramp-mudhun suhu dhuwur. Kajaba iku, isi impurity logam bisa strictly kontrol, Ngartekno nyuda resiko kontaminasi ing suhu dhuwur. Iki nggawe dheweke cocog banget kanggo proses sing sensitif banget marang kabersihan, kayata manufaktur piranti listrik, MOSFET SiC, MEMS, lan produk liyane.
Dibandhingake karo prau wafer kuarsa tradisional, prau wafer keramik karbida silikon biasane duwe umur layanan 3-5 kaping luwih suwe ing suhu dhuwur, kahanan siklus termal sing kerep. Kaku sing luwih dhuwur lan tahan kanggo deformasi ngidini keselarasan wafer sing luwih stabil, sing mbantu ningkatake asil. Sing luwih penting, bahan SiC njaga owah-owahan dimensi minimal sajrone siklus pemanasan lan pendinginan sing kerep, nyuda chipping pinggiran wafer utawa ngeculake partikel sing disebabake dening deformasi kapal wafer.
|
Bandhingan |
Perahu Wafer Kuarsa |
Perahu Wafer Keramik SiC |
Pembawa Wafer Berbasis Grafit |
|
Bahan Dasar |
Silika fusi kemurnian dhuwur (SiO₂) |
Keramik SiC sing direkayasa |
grafit kemurnian dhuwur; bisa dilapisi |
|
Konduktivitas termal |
Relatif kurang |
Umume luwih dhuwur; gumantung kelas |
Asring dhuwur; gumantung kelas lan arah |
|
Ekspansi Termal |
Kurang banget |
Luwih dhuwur tinimbang kuarsa sing digabung |
Grade- lan orientasi gumantung |
|
Kinerja Suhu Dhuwur |
Madeg ing pangolahan pawon qualified; softening lan devitrification bisa mbatesi layanan |
Potensi kuat kanggo nuntut aplikasi suhu dhuwur; gumantung kelas |
Cocog kanggo lingkungan inert / vakum sing dipilih; grafit gundhul ora cocog kanggo akeh pangolahan oksidasi |
|
Karakteristik Mekanik |
rapuh; creep lan deformasi mbutuhake evaluasi |
atose dhuwur lan rigidity; isih rapuh |
Siap mesin; kekuatan beda-beda gumantung kelas lan suhu |
|
Kontrol kontaminasi |
Tingkat kemurnian dhuwur digunakake ing proses semikonduktor sing resik |
Mbutuhake impurity, porositas lan kualifikasi kondisi permukaan |
Grafit gundhul bisa nyebabake kontaminasi sing gegandhengan karo karbon; lapisan mbutuhake kontrol integritas |
|
Desain dimensi |
Madeg konfigurasi tungku-carrier |
Desain keramik presisi |
mesin fleksibel; lapisan bisa mengaruhi toleransi final |
|
Aplikasi Khas |
Difusi, oksidasi, LPCVD |
Difusi suhu dhuwur, oksidasi, anil lan CVD sing berkualitas |
Kapilih suhu dhuwur, inert-atmosfer utawa dilapisi-carrier aplikasi |
Ora kabeh kapal wafer SiC digawe saka kelas keramik sing padha. Rute manufaktur sing beda ngasilake mikrostruktur lan karakteristik kinerja sing beda.
SiC recrystallized digunakake ing komponen keramik suhu dhuwur sing direkayasa. Gumantung saka kelas, bisa uga nuduhake porositas mbukak sing signifikan, sing kudu dianggep nalika ngevaluasi kontaminasi, reresik lan kompatibilitas proses.
Pressureless-sintered SiC bisa nyedhiyani struktur Keramik kandhel karo atose dhuwur, kekuatan mechanical lan kinerja termal apik. Properti nyata gumantung saka formulasi, proses sintering lan bahan bahan.
SiC sing diikat reaksi umume ngemot fase silikon residual. Iki bisa mengaruhi suhu layanan maksimum lan kompatibilitas kimia, supaya watesan operasi ngirim ora dianggep padha karo RSiC utawa SSiC.
Pembawa wafer grafit sing dilapisi SiC minangka konstruksi sing beda karo prau wafer keramik SiC monolitik.
Iki nggunakake substrat grafit sing dilindhungi dening lapisan SiC sing disimpen. Desain kasebut bisa menehi kaluwihan ing lingkungan pangolahan termal tartamtu, nanging integritas lapisan, pinggiran sing katon lan kontaminasi potensial kudu dievaluasi.
Ing aplikasi industri, prau wafer keramik karbida silikon mboko sithik dadi pilihan sing disenengi kanggo produsen peralatan dhuwur ing proses pangolahan termal, saka piranti silikon tradisional nganti bahan semikonduktor generasi katelu. Padha ora mung cocok kanggo macem-macem peralatan pangolahan termal, kayata tungku tabung vertikal lan tungku oksidasi horisontal, nanging kinerja stabil ing suhu dhuwur, lingkungan Highly korosif uga menehi jaminan kuwat kanggo konsistensi proses lan kapasitas peralatan.
Popularisasi bertahap kapal wafer keramik karbida silikon nandhani percepatan bahan keramik canggih sing nembus komponen dhukungan inti peralatan semikonduktor. Dibandhingake karo bahan kuarsa tradisional, kaluwihan ing stabilitas suhu dhuwur, kaku struktural, lan tahan lemes termal nyedhiyakake dhasar materi sing bisa dipercaya kanggo evolusi terus suhu sing luwih dhuwur lan jendhela proses sing luwih ketat. Saiki, kapal wafer keramik karbida silikon 6-inci lan 8-inci akeh digunakake ing proses perawatan termal produksi massa piranti listrik ing industri semikonduktor.
Spesifikasi 12-inci mboko sithik dienalake ing proses dhuwur lan jalur produksi sing maju, dadi arah penting kanggo fase sabanjure peralatan lan kolaborasi materi. Ing wektu sing padha, kapal wafer 2-4 inch terus nduweni peran ing platform riset lan skenario proses tartamtu, kayata pangolahan substrat LED lan verifikasi proses. Kapal wafer keramik silikon karbida bakal nuduhake kaluwihan sing luwih gedhe babagan stabilitas, kontrol ukuran, lan kapasitas wafer, nyopir evolusi terus teknologi bahan keramik sing gegandhengan.
Kapal wafer nahan wafer semikonduktor ing posisi kanthi jarak sing tepat sajrone proses tungku. Fungsi utama yaiku dhukungan mekanik, keselarasan wafer lan kompatibilitas karo lingkungan proses termal lan kimia.
Kapal wafer keramik SiC umume nyedhiyakake konduktivitas termal sing luwih dhuwur lan kemampuan mekanik suhu sing luwih dhuwur kanggo gelar sing cocog. Kapal wafer kuarsa duwe ekspansi termal sing luwih murah lan akeh digunakake ing proses tungku semikonduktor sing resik. Materi sing disenengi gumantung ing kahanan operasi.
Ora ana watesan suhu siji kanggo kabeh prau wafer keramik SiC. Suhu operasi maksimal gumantung saka kelas SiC, atmosfer tungku, beban mekanik, durasi cahya lan siklus termal. Komponen sing wis rampung kudu nduweni kualifikasi kanggo kondisi proses sing dimaksud.
Ya, kapal wafer keramik SiC sing dipilih lan berkualitas bisa digunakake ing aplikasi difusi lan oksidasi. Kimia material, kebersihan permukaan, desain mekanik lan kompatibilitas karo gas proses kudu diverifikasi.
Wafer boats bisa direkayasa kanggo konfigurasi tungku beda, dimensi wafer, counts slot, pitches lan geometris support, tundhuk Manufaktur feasibility lan validasi desain.
Kapal wafer keramik SiC padhet nggunakake awak keramik, dene operator grafit sing dilapisi SiC nggunakake substrat grafit kanthi lapisan SiC protèktif. Tanggepan termal, mekanisme kegagalan, risiko kontaminasi lan watesan layanan beda-beda.
Penyebab potensial kalebu abrasi mekanis, geometri kontak wafer sing ora cocog, tumpukan film sing disimpen, karusakan termal, cacat permukaan lan kontaminasi nalika ditangani utawa ngresiki. Analisis ROOT-sabab kudu nimbang materi operator lan proses tungku nyata.
+86-579-87223657
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang Province, China
Hak Cipta © 2024 WuYi TianYao New Material Tech.Co.,Ltd. Kabeh hak dilindhungi undhang-undhang.
Links | Sitemap | RSS | XML | Kebijakan Privasi |