Silicon Carbide Epitexy

Persiapan epitaries carbide berkualitas tinggi gumantung ing teknologi lan peralatan lan peralatan sing apik. Saiki, metode pertumbuhan epitails epitails sing paling akeh digunakake yaiku deposisi uap kimia (CVD). Nduwe kaluwihan kontrol trenyun film ketebalan epitise lan konsentrasi, tingkat pertumbuhan moderat, kontrol proses kanthi otomatis, lan liya-liyane, lan minangka teknologi sing bisa dipercaya kanthi komersial.

Silikon Carbide CVD Epitexy umume ngetrapake tembok panas utawa peralatan cvd tembok, sing njamin lampahing epitimo 4h kristal, ing antarane negara aliran udara sing dhuwur, bisa uga ana ing antarane tingkat aliran udara lan reaktor struktur vitor.

Ana telung pratondho utama kanggo kualitas tungku epitixial, sing pertama yaiku kinerja pertumbuhan ECitoxial, kalebu keseranan kerempat, kanthi nggunakake keseragaman, tingkat kekurangan; Sing nomer loro yaiku kinerja suhu saka peralatan kasebut dhewe, kalebu tingkat pemanasan / adhem, suhu maksimal, keseragaman suhu; Pungkasan, kinerja biaya peralatan kasebut dhewe, kalebu rega lan kapasitas unit siji.

Telung jinis tungku wutah epitoxial lan inti aksesoris inti

CVD tembok panas cvd (model khas PE1O6 saka perusahaan LPE PE1O6 saka LPE Planet CVD (dituduhake dening model cvd tembok (sing khas - minangka model sing paling panas ing AIxtron G5ww) minangka solusi teknis epitraam sing wis diwujudake ing aplikasi komersial ing tahapan iki. Telung piranti teknis uga duwe ciri dhewe lan bisa dipilih miturut permintaan. Struktur kasebut dituduhake kaya ing ngisor iki:

Komponen inti sing cocog yaiku:

(a) bagean inti utama horisontal part- setengah bagean kasusun saka

Insulasi Downtream

Insulasi utama sisih ndhuwur

Halfmoon ndhuwur

Penebat hulu

Piece Transisi 2

Piece Transisi 1

Nozzle Air njaba

Torkel tapered

Nozzle gas Outer argon

Nozzzle gas Argon

WAFER Dhukungan piring

Pin Center

Pengawal Pusat

Tutup Perlindungan Downstream

Tutup perlindungan tengen mudhun

Tutup pangreksan kiwa

Tutup Perlindungan Tengen Upstream

Tembok sisih

Cincin grafit

Perlindungan sing dirasakake

Nyengkuyung krasa

Blok kontak

Silinder outlet gas

(b) jinis planet tembok anget

Disk Planetik SIC lapisan & disk planet planet

(c) jinis tembok teyeng-termal

NUFLare (Jepang): Perusahaan iki nawakake tungku vertikal vertikal dual-ramab sing nambah kanggo ngasilake produksi. Peralatan kasebut duwe rotasi kanthi cepet nganti 1000 révolusi saben menit, sing regane migunani banget kanggo keseragam epitoxial. Kajaba iku, arah AirFlow beda karo peralatan liyane, kanthi vertikal mudhun, saéngga nyuda partikel partikel lan nyuda kemungkinan tetesan partikel mudhun ing wafer partikel. Kita nyedhiyakake komponen grafit sing ditutupi ing inti kanggo peralatan iki.

Minangka supplier komponen peralatan epitaksi SIC, Sikmikondduktor setya menehi pelanggan komponen kanthi kualitas tinggi kanggo ndhukung sukses epitexy SIC.

View as

Penyusuhan AIxtron G5 MOCVD

Sistem Mocvd AIxtron G5 dumadi saka bahan grafit, grafon karbida ditutupi, kuarsa, bahan rigid rigid, lsp. Kita wis khusus ing grafit Grapittor lan Quartz bagean pirang-pirang taun. Kitab Susceptors sing serbaguna minangka ukuran, kompatibel, lan produktivitas sing paling optimal, lan produktivitas sing paling optimal.Welcome.

Ndeleng Liyane >> Kirim Pitakonan >>

Reseptor Grafit Epitaxial GaN kanggo G5

Vetek Somiconductor minangka produsen profesional lan supplier, darmabakti kanggo nyedhiyakake susceptor grafit Gan Epitixial sing bermutu tinggi kanggo G5. Kita wis nahan kemitraan jangka panjang lan stabil karo akeh perusahaan sing kondhang ing omah lan ing luar negeri, entuk kapercayan lan penghormatan pelanggan.

Ndeleng Liyane >> Kirim Pitakonan >>

Halfmoon ngisor Grafis Ultra Pure

Vetek Semiconduktor minangka supplier utama saka grafit sing murah saka grafit sing disesuaikan ing China, sing duwe spesialisasi ing bahan canggih nganti pirang-pirang taun. Halfmoon ngisor ultra murni kita dirancang khusus kanggo peralatan epitoxial SIC, njamin kinerja sing apik banget. Digawe saka grafit sing diimpor saka Ultra-murni, sing nawakake linuwih lan daya tahan. Dolan maring pabrik kita ing China kanggo njelajah grafit grafit grafit murni sing paling dhuwur ing dhuwur.Welcome kanggo konsultasi kapan wae.

Ndeleng Liyane >> Kirim Pitakonan >>

Setengah separo ndhuwur ditutupi

Vetek Semiconduktor minangka supplier utama sing disedhiyakake ing SICFMOON sisih ndhuwur sing ditutupi ing China, sing duwe spesialisasi ing bahan canggih luwih saka 20 taun. Vetek semikonduktor, setengah bagian dilapisi khusus kanggo peralatan epitoxial, dadi komponen penting ing ruang reaksi. Digawe saka grafit kelas siswa sing murni, semikonduktor, mesthekake kinerja sing apik. Kita ngajak sampeyan ngunjungi pabrik kita ing China.Welcome kanggo konsultasi kapan wae.

Ndeleng Liyane >> Kirim Pitakonan >>

Carry Silicon Carbide Epitari wafer Carrier

Vetek Semiconduktor minangka pemasok operator silikfikasi epitarizing pimpinan ing China.We wis khusus ing materi sing luwih saka 20 taun. Kita nawakake pemasar waf, lapisan sic epitexys ing reaktor sic epitexys. Carbide epitories carbide epitories iki minangka bagean sing paling penting ing setengah saka Setengah bagean, Rintangan suhu, resistensi oksidasi, resistensi nyandhang. Kita welcome sampeyan kanggo ngunjungi pabrik kita ing China.Welcome kanggo konsultasi kapan wae.

Ndeleng Liyane >> Kirim Pitakonan >>

8 Inch Part Halfmoon kanggo LPE Reactor

VeTek Semiconductor minangka produsen peralatan semikonduktor terkemuka ing China, fokus ing R&D lan produksi 8 Inch Halfmoon Part kanggo LPE Reactor. Kita wis nglumpukake pengalaman sing sugih sajrone pirang-pirang taun, utamane ing bahan lapisan SiC, lan setya nyedhiyakake solusi efisien sing cocog kanggo reaktor epitaxial LPE. Part Halfmoon 8 Inch kanggo Reaktor LPE duwe kinerja lan kompatibilitas sing apik banget, lan minangka komponen kunci sing penting ing manufaktur epitaxial. Welcome priksaan kanggo mangerteni sing luwih lengkap babagan produk kita.

Ndeleng Liyane >> Kirim Pitakonan >>

Veteksemicon silicon carbide epitaxy is your advanced procurement option for producing high-performance 4H-SiC and 6H-SiC epitaxial layers used in wide bandgap semiconductor devices. SiC epitaxy enables the formation of defect-controlled, dopant-engineered epitaxial layers critical for high-power, high-frequency, and high-temperature electronic devices.

Our offering includes specialized components such as SiC epitaxial susceptors, SiC-coated wafer holders, and epitaxy process rings, tailored for use in horizontal and vertical MOCVD and CVD reactors, including platforms by Veeco, Aixtron, and LPE. Veteksemicon’s parts are coated with high-purity CVD SiC, ensuring chemical compatibility, temperature uniformity, and minimal contamination during epitaxial layer growth.

Silicon carbide epitaxy is essential for fabricating power MOSFETs, IGBTs, and RF components, particularly in automotive, energy, and aerospace applications. The epitaxial process requires extremely precise control over doping concentration, layer thickness, and crystallographic orientation, which is why substrate compatibility and thermal stability of reactor parts are critical.

Relevant terms in this category include 4H-SiC epitaxial wafer, low-defect-density epitaxy, SiC epi-ready substrates, and wide bandgap semiconductors. Veteksemicon supports both research-scale and volume production needs with stable, repeatable, and thermally robust component solutions.

To learn more about our silicon carbide epitaxy support materials, visit the Veteksemicon product detail page or contact us for detailed specifications and engineering support.

Minangka Produsen lan supplier profesional Silicon Carbide Epitexy ing China, kita duwe pabrik dhewe. Apa sampeyan mbutuhake layanan khusus kanggo nyukupi kabutuhan wilayah tartamtu utawa pengin tuku sing digawe lan awet sing digawe ing China, sampeyan bisa ninggalake pesen.

Kode QR

Babagan awake dhewe

Produk

Hubungi Kita

Telpon
+86-18069220752
Fax
+86-579-87223657
E-mail
anny@veteksemi.com
alamat
Jalan Wangun, Street Ziyang, Wuyi County, Jinhua City, Provinsi Zhejiang, China

Menu Web

Panelusuran Produk

Basa

Menu metu

Silicon Carbide Epitexy

Telung jinis tungku wutah epitoxial lan inti aksesoris inti

Komponen inti sing cocog yaiku:

(a) bagean inti utama horisontal part- setengah bagean kasusun saka

(b) jinis planet tembok anget

(c) jinis tembok teyeng-termal

Penyusuhan AIxtron G5 MOCVD

Reseptor Grafit Epitaxial GaN kanggo G5

Halfmoon ngisor Grafis Ultra Pure

Setengah separo ndhuwur ditutupi

Carry Silicon Carbide Epitari wafer Carrier

8 Inch Part Halfmoon kanggo LPE Reactor

Kirim Pitakonan

Kode QR

Babagan awake dhewe

Produk

Hubungi Kita

Telpon

Fax

E-mail

alamat