Piring keramik paling keramik yaiku bahan keramik keramik sing digawe saka silikon karbida minangka komponen utama lan diproses dening proses khusus. Dheweke penting bahan ing pabrik semikonduktor, deposisi uap kimia (CVD) lan proses liyane.
Piring Keramik SIC Potong minangka bahan keramik struktur sing digawe sakakarbida silikonminangka komponen utama lan digabungake karo proses sintering khusus. Porosity luwes (biasane 30% -70%), distribusi ukuran sing seragam yaiku seragam, stabilitas kimia lan akeh digunakake ing pabrik gas, lan umume digunakake, filtrasi gas suhu sing dhuwur (CVD) lan lapangan gas.
Titik keramik SIC paling dhuwur 2700 ° C, lan isih bisa njaga stabilitas struktural ing ndhuwur 1600 ° C, utamane sing cocog kanggo proses suhu semikonduktor.
● Kinerja manajemen termal:
✔ Konduktivitas termal dhuwur: konduktivitas termal saka 120 w / (m · k). Sanajan struktur porous rada nyuda konduktivitas termal, isih luwih apik tinimbang umume keramik lan ndhukung dissipasi panas sing efisien.
✔ Koefisional ekspansi termal (4.0 × 10 ⁻⁶ / ° C): meh ora ana undah ing suhu sing dhuwur, ngindhari gagal piranti sing disebabake stres termal.
● stabilitas kimia sing apik banget
Asam lan resistensi karat korosi Alkali (utamane sing pinunjul ing lingkungan HF), resistensi oksidasi suhu suhu, cocog kanggo lingkungan sing angel kayata etching lan reresik.
● Properti mekanik pinunjul
✔ TINGGI HOLDNESS (HOLDNESS MOHS 9.2, nomer loro mung kanggo berlian), resistensi nyandhang kuwat.
✔ Kekuwatan mlengkung bisa tekan 300-400 MPA, lan desain struktur pori kudu dianggep entheng lan mekanik.
● Struktur keropisi kanthi fungsi
✔ Wilayah permukaan khusus: Ningkatake efisiensi penyebaran gas, cocog minangka piring distribusi gas reaksi.
✔ Kontrol porosity: Ngoptimalake penetrasi cairan lan kinerja filtrasi, kayata formasi film seragam ing proses CVD.
Peranan Khusus ing Manufaktur Semikonduktor
● Dhukungan proses suhu lan penebat panas
Minangka piring dhukungan wafer, digunakake ing peralatan suhu dhuwur (> 1200 ° C) kayata tawon penyebaran lan tungku ananing kanggo ngindhari kontaminasi logam.
Struktur keropos duwe fungsi insulasi lan dhukungan, nyuda rugi panas.
● Distribusi gas seragam lan kontrol reaksi
Ing peralatan kimia (CVD) peralatan, minangka piring distribusi gas, pores digunakake kanggo seragam transportasi gas reaktif (kayata Sih₄, NH₃) kanggo nambah keseragaman saka depepisi film tipis.
Ing etching garing, struktur porous Ngoptimalake distribusi plasma lan nambah akurasi etching.
● Komponen inti electrostatic Chuck (ESC)
SIC keropos digunakake minangka substrat chuck electrostatic, sing nggayuh adsorption vacuum liwat mikp3 kanthi tepat, lan tahan kanggo bom plasma lan duwe urip sing dawa.
● Komponen tahan korosi
Digunakake kanggo rongga etching etching udan lan peralatan ngresiki, iku nolak karat kanthi asam sing kuwat (kayata hno₃) lan alkali kuwat (kayata KOH).
● Kontrol keseragaman lapangan termal
Ing tungku wutah silikon silicon (kayata cara czochralski), minangka tameng panas utawa dhukungan, stabilitas panas digunakake kanggo njaga lapangan termal seragam lan nyuda cacat kisi.
● Filter lan pemurnian
Struktur porous bisa nyegat rereged partikel lan digunakake ing sistem pangiriman gas / Cairan murni kanggo njamin kabersihan proses.
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Kita nggunakake cookie kanggo menehi pengalaman browsing sing luwih apik, nganalisa lalu lintas situs lan nggawe konten pribadi. Kanthi nggunakake situs iki, sampeyan setuju kanggo nggunakake cookie. Kebijakan Privasi