Kasedhiya kanggo silikon monocrystalline

Cara CZ (Czochralski), ana tunggal kristal ditanam kanthi nggawa wiji monocrystalline menyang silikon polycirystalline molten. Wiji mboko sithik ditarik munggah nalika muter alon-alon. Ing proses iki, sawetara bagean grafit sing akeh digunakake, nggawe metode sing makarya jumlah paling dhuwur saka komponen grafit ing pabrik Silicon Sasmonduktor.

Gambar sing pas nyedhiyakake perwakilan skema saka tungku manufaktur silikon single-Crystal sing adhedhasar metode CZ.

Vetek Semikonduktor Crafble kanggo silikon monocrystalline nyedhiyakake lingkungan sing stabil lan dikontrol kanggo aksi kristal semikonduktor. Dheweke ningkat ing tikon mocrystalline mocrystalline kanthi nggunakake teknik canggih lan proses czochralski lan metode zona ngambang, sing penting kanggo ngasilake bahan berkualitas tinggi kanggo piranti elektronik.

Engineered kanggo stabilitas termal sing luar biasa, resistensi karat kimia, lan ekspansi termal minimal, caplescible iki njamin kekiatan lan pergayaan. Dheweke dirancang kanggo nahan lingkungan kimia sing atos tanpa kompromi integritas utawa kinerja sing kompren, saéngga ngupayakake umur lengen lan njaga kinerja sing terus-terusan.

Komplek unik saka Crucible Vetek semikonduktor kanggo silikon monocrystalline ngidini dheweke tahan kahanan pangolahan suhu sing ekstrem. Iki njamin stabilitas termal lan kesucian sing luar biasa, sing kritis kanggo proses pangolahan semikonduktor. Komposisi kasebut uga nggampangake transfer panas sing paling efisien, promosi crystallization seragam lan minimalake kecerunan termal ing silikon silra.

✔ Perlindhungan Bahan dhasar: IngPelapisan SIC CVDTumindak minangka lapisan pelindung nalika proses epitoxial, kanthi efektif nglindhungi materi dhasar saka erosi lan karusakan sing disebabake dening lingkungan njaba. Ukuran protèktif iki akeh ngluwihi urip layanan kasebut.

✔ Konduktivitas termal sing apik banget: CVD SIC Coating Demelas konduktivitas termal, kanthi efisien nransfer panas saka bahan dhasar menyang permukaan lapisan. Iki nambah efisiensi Manajemen termal sajrone epitexy, njamin suhu operasi optimal kanggo peralatan kasebut.

✔ Kualitas film sing apik: Pelapisan SIC CVD nyedhiyakake permukaan sing rata lan seragam, nggawe Yayasan sing cocog kanggo pertumbuhan film. Nyuda cacat sing diasilake saka kecepatan kisi, nambah kristal film lan kualitas film epitoxial, lan pungkasane ningkatake kinerja lan linuwih.