Telung Petal Grafite Crucible

Telung petual petal petal ing Semikonduktor Dirancang kanggo proses wutah silikon monocrystalline dening metode CZ, struktur telu-petualy grafit digawe saka bahan grafit grafites sing ana. Liwat struktur telung petual sing inovatif, salib tradisional tradisional bisa ngatasi kesulitan sing ora bisa dibubarake, konsentrasi stres stress termal lan lega banget digunakake ing wafers silikon fotovolta, Waffontering Silicon liyane.

Sorotan proses inti

1. Teknologi pangolahan grafit grafit Ultra-tliti

Kesucian materi: Panganggone substrat grafit grafit sing dipencetake isosatik karo isi awu <5ppm yen dibutuhake lan umume <10ppm kanggo njamin polusi nol ing proses lebur silikon

Ngrampungake struktural: sawise diklumpukake ing 2200 ℃, Kekuwatan mbengkongake yaiku ≥45MPA, lan koefisien ekspansi termal yaiku ≤4.6 × 10⁻⁶ / ℃

Perawatan lumahing: lapisan karbon pirroyetik 10-15μm disimpen dening proses CVD kanggo nambah resistensi oksidasi (bobot awak mudhun <1.5%/100h@1600℃).

2. Desain struktur telu petual

Majelis Modular: 120 ip peralatan peralatan telung-lobe Struktur, Instalasi lan efisiensi pembuangan tambah 300%

Desain pembebaran stres: Struktur pamisah kanthi efektif nyebar stres ekspansi termal lan ngluwihi layanan kasebut luwih saka 200 siklus

Precision Fit: Gap ing antarane katup yaiku <0.1mm, lan adesif keramik suhu sing dhuwur njamin bocor nol ing proses lebur silikon

3 .. Layanan Processing Selaras

Dhukungan φ16 "-º40" Kustomisasi Ukuran lengkap, kontrol toleransi tembok ± 0.5mm

Struktur Kapal Kapadhetan 1.83G / CM³ bisa dipilih kanggo ngoptimalake distribusi lapangan termal

Nyedhiyakake proses tambahan sing ditambahake kayata lapisan lapisan komposit Boron Nitride lan ngiyatake logam rhenium

Skenario aplikasi khas

Industri Photovoltaic

Gambar Mocrrystalline Rod Langsung: Cocog kanggo Produksi Gedhe Silicon Wafer Silicon Wafer, Dhukungan Kapasitas ≥500kg

Baterei Topcon N-Tipe: Migrasi Ultra-Low-Devurity njamin gesang minoritas> 2MS

Nganyarke lapangan termal: Kompatibel karo model tungku kristal tunggal kristal tunggal (pvi, ferrotec, lsp)

Pabrik Semikonduktor

8-12 inci inci semikonduktor Silicon berkembang: Ketemu syarat kabersihan kelas semi-10

Kristal Doped Khusus: Kontrol Preferensi Boron / Fosfor Distribusi Seragam

Semomonduktor generasi katelu: proses nyiapake kristal kristal

Lapangan Riset Ilmiah

Riset lan pangembangan wafers silikon ultra-tipis kanggo sel solar

Tes wutah bahan kristal (germanium, gallium arsenide)

Wates Parameter (3000 Eksperimen Lebur Suhu Dhuwur)

Sistem Jaminan Kualitas

Sertifikasi Sistem Dual ISO 8001/140011

Nyedhiyani Laporan Test Bahan kanggo Pelanggan (Analisis Komposisi XRD, SEM SEMPONTRUKTURCture)

SISTEM TRECECIFY SISTEM (Laser Marking + Panyimpen BlockChain)