Produk
CVD SiC Coated Graphite Susceptor kanggo Wafer Carrier
  • CVD SiC Coated Graphite Susceptor kanggo Wafer CarrierCVD SiC Coated Graphite Susceptor kanggo Wafer Carrier

CVD SiC Coated Graphite Susceptor kanggo Wafer Carrier

VETEK CVD SiC Coated Graphite Susceptor kanggo Wafer Carrier minangka komponen dhukungan wafer kinerja dhuwur sing dirancang kanggo proses epitaksi semikonduktor. Produk kasebut nggunakake grafit kemurnian dhuwur minangka substrat lan dilapisi lapisan silikon karbida (SiC) seragam CVD, nyedhiyakake stabilitas termal, resistensi kimia, lan kontrol partikel sing apik. Minangka komponen susceptor grafit kritis, iku langsung ndhukung wafer nang kamar reaksi lan mbantu njaga distribusi suhu seragam lan kahanan wutah epitaxial stabil.

1. Kaluwihan produk


  • Bahan kemurnian dhuwur:Bahan grafit kelas semikonduktor lan struktur lapisan SiC sing padhet nyuda resiko kontaminasi lan nambah linuwih susceptor grafit sing dilapisi CVD SiC.
  • Keseragaman termal sing apik banget:Struktur grafit sing dioptimalake lan lapisan SiC nyedhiyakake transfer panas sing stabil lan kontrol suhu wafer sing seragam.
  • Ketahanan kimia sing unggul:Lapisan SiC sing padhet menehi resistensi sing kuat marang gas proses lan lingkungan korosif.
  • Long Service Life:Atose dhuwur lan tahan nyandhang nambah daya tahan ing kahanan epitaksi suhu dhuwur.
  • Generasi Partikel Rendah:Lumahing CVD SiC sing padhet nyuda pelepasan partikel lan nambah linuwih proses wafer.
  • Kapabilitas Desain Kustomisasi:Kasedhiya ing macem-macem ukuran, struktur, lan konfigurasi miturut syarat peralatan.



2. Spesifikasi Teknis

Item
Nilai Khas
Bahan Substrat
Grafit Kemurnian Tinggi
Bahan Coating
CVD Silicon Carbide (SiC)
Kemurnian SiC
≥99,999%
Ketebalan Coating
100 ± 20 μm (bisa disesuaikan)
Keseragaman ketebalan lapisan
Dikontrol ing 10 μm antarane batch
Kapadhetan saka Coating CVD SiC
3,21 g/cm³
Konduktivitas termal
300 W/m·K
Koefisien Ekspansi Termal
4,5 × 10⁻⁶/K

3. Aplikasi


  • Proses Epitaksi SiC:Susceptor grafit digunakake minangka operator wafer ing peralatan epitaksi SiC, ndhukung substrat SiC sajrone pertumbuhan epitaxial suhu dhuwur.
  • Proses Silicon Epitaxy:Ditrapake ing reaktor epitaxial silikon kanggo ndhukung wafer lan njaga kondisi termal sing stabil.
  • Epitaksi MOCVD:Susceptor grafit VETEK cocok kanggo MOCVD, epitaxy LED, epitaxy GaN, epitaxy silikon, lan proses manufaktur semikonduktor liyane sing mbutuhake keseragaman termal lan stabilitas kimia sing apik.
  • Peralatan Produksi Semikonduktor:Kompatibel karo macem-macem platform epitaxy, kalebu tungku horisontal LPE, Aixtron, NuFlare, lan peralatan semikonduktor sing gegandhengan.



4. Kenapa Pilih VETEK?

VETEK nyedhiyakake solusi susceptor grafit sing dilapisi CVD SiC khusus sing nggabungake pemurnian grafit, mesin presisi, lapisan CVD, lan kemampuan inspeksi. Produk susceptor grafit kelas semikonduktor kita nduweni kemurnian dhuwur, kekandelan lapisan seragam, kinerja termal sing apik, lan umur layanan sing dawa kanggo aplikasi operator wafer sing nuntut.

Hot Tags: Susceptor Graphite Dilapisi CVD SiC, Susceptor Grafit, Pembawa Wafer Grafit Dilapisi SiC, Susceptor Epitaksi Semikonduktor, Susceptor Grafit MOCVD, Pembawa Wafer SiC, Susceptor Grafit CVD SiC
Kirim Pitakonan
Info kontak
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Kita nggunakake cookie kanggo menehi pengalaman browsing sing luwih apik, nganalisa lalu lintas situs lan nggawe konten pribadi. Kanthi nggunakake situs iki, sampeyan setuju kanggo nggunakake cookie. Kebijakan Privasi
nolakNampa