Nozzle Coating CVD SiC

VeTek Semiconductor minangka pabrikan khusus aksesoris lapisan CVD SiC kanggo piranti epitaxial kaya bagean setengah bulan Coating CVD SiC lan Nozzels Coating CVD SiC aksesoris. Sugeng rawuh.

PE1O8 minangka sistem cartridges lengkap kanggo cartridges sing dirancang kanggo ngatasiwafer SiCiki 200 mm. Format kasebut bisa diowahi antarane 150 lan 200 mm, minimalake downtime alat. Pengurangan tahap pemanasan nambah produktivitas, dene otomasi nyuda tenaga kerja lan nambah kualitas lan keterulangan. Kanggo mesthekake proses epitaksi sing efisien lan larang regane, telung faktor utama dilaporake: 

● Proses cepet;

●  keseragaman dhuwur saka kekandelan lan doping;

● Minimalisasi formasi cacat sajrone proses epitizi. 

Ing PE1O8, jisim grafit cilik lan sistem beban otomatis / Otomatis ngidini standar sing bisa rampung kurang saka 75 menit (tingkat penciptaan dioote 10μm / H. Sistem otomatis ngidini loading / mbukak kanthi suhu sing dhuwur. Akibaté, wektu pemanasan lan pendinginan cendhak, dene langkah panggilan wis disandhak. Kahanan sing cocog iki ngidini tuwuh saka bahan sing ora bisa dicopot.

Ing proses Silicon Carbide Epitexy, Nozzles CVD lapisan CVD muter peran penting ing wutah lan kualitas lapisan epitoxial. Iki minangka panjelasan sing ditambahi peran nozzlesSilicon Carbide Epitexy:

● pasokan gas lan kontrol: Nozzles digunakake kanggo ngirim campuran gas sing dibutuhake sajrone epitexy, kalebu Silicon Source Gas lan Gas Source Karbon. Liwat muncung, aliran gas lan rasio bisa dikendhaleni kanthi bener kanggo njamin pertumbuhan seragam lapisan epitoxial lan komposisi kimia sing dikarepake.

● Kontrol suhu: Nozzles uga mbantu ngontrol suhu ing reaktor epitisme. Ing Silicon Carbide Epitaily, suhu minangka faktor kritis sing mengaruhi tingkat pertumbuhan lan kualitas kristal. Kanthi nyedhiyakake gas sing panas utawa adhem liwat muncung, suhu tuwuhe lapisan epitoxial bisa diatur kanggo kahanan pertumbuhan sing optimal.

● Distribusi Aliran Gas: Desain muncung pengaruh gas seragam ing reaktor. Distribusi aliran gas seragam njamin keseragaman lapisan epitalis lan ketebalan konsisten, ngindhari masalah sing ana hubungane karo material kualitas tanpa keseragaman.

● Nyegah kontaminasi sing ora apik: Desain sing tepat lan panggunaan muncung bisa mbantu nyegah kontaminasi sing ora yakin sajrone proses epitizi. Desain muncung sing cocog kanggo nyuda kemungkinan impurities eksternal sing mlebu reaktor, njamin kesucian lan kualitas lapisan epitoxial.

Struktur Film Wanita CVD SIC CVD:

Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC: