VeTek Semiconductor minangka produsen peralatan semikonduktor terkemuka ing China, fokus ing R&D lan produksi 8 Inch Halfmoon Part kanggo LPE Reactor. Kita wis nglumpukake pengalaman sing sugih sajrone pirang-pirang taun, utamane ing bahan lapisan SiC, lan setya nyedhiyakake solusi efisien sing cocog kanggo reaktor epitaxial LPE. Part Halfmoon 8 Inch kanggo Reaktor LPE duwe kinerja lan kompatibilitas sing apik banget, lan minangka komponen kunci sing penting ing manufaktur epitaxial. Welcome priksaan kanggo mangerteni sing luwih lengkap babagan produk kita.
Minangka pabrikan profesional, VeTek Semiconductor pengin nyedhiyakake Part Halfmoon 8 Inch kualitas dhuwur kanggo Reaktor LPE.
VeTek Semiconductor 8 inch halfmoon part kanggo reaktor LPE minangka komponen penting sing digunakake ing proses manufaktur semikonduktor, utamane ing peralatan epitaxial SiC. VeTek Semiconductor nggunakake teknologi sing dipatenake kanggo ngasilake bagean setengah bulan 8 inci kanggo reaktor LPE, njamin kemurnian sing luar biasa, lapisan seragam, lan umur dawa sing luar biasa. Kajaba iku, bagean kasebut nuduhake resistensi kimia sing luar biasa lan sifat stabilitas termal.
Badan utama bagean setengah setengah kanggo reaktor LPE digawe saka grafit sing gedhe-gedhe, sing menehi konduktivitas termal lan stabilitas mekanik sing apik. Grafit sing dhuwur banget dipilih kanggo konten sing kurang saka kurang, njamin kontaminasi minimal sajrone proses wutah epitoxial. Sing mantep ngidini kanggo tahan kahanan nuntut ing reaktor lpe.
Vetek semanikonduktor sic ditutupi grafitefite Hefito offmon diprodhuksi kanthi tliti sing paling tliti lan perhatian kanggo rinci. Kesucian bahan-bahan sing digunakake kanggo njamin kinerja lan linuwih sing unggul ing pabrik semikonduktor. Pelapisan seragam ing bagean kasebut njamin operasi sing konsisten lan efisien sajrone urip kerja.
Salah sawijining kaluwihan utama saka SiC Coated Graphite Halfmoon Parts yaiku resistensi kimia sing apik banget. Padha bisa tahan sifat korosif saka lingkungan manufaktur semikonduktor, njamin kekiatan long-tahan lan minimalake perlu kanggo panggantos Kerep. Kajaba iku, stabilitas termal sing luar biasa ngidini dheweke njaga integritas lan fungsi struktural ing kahanan suhu dhuwur.
SiC Coated Graphite Halfmoon Parts wis dirancang kanthi tliti kanggo nyukupi syarat ketat peralatan epitaxial SiC. Kanthi kinerja sing dipercaya, bagean kasebut nyumbang kanggo sukses proses pertumbuhan epitaxial, sing ngidini deposisi film SiC sing berkualitas tinggi.
STRUKTUR KRISTAL FILM COATING CVD SIC:
Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC:
Properties fisik dhasar lapisan SIC CVD
Properti
Nilai khas
Struktur kristal
FCC β Fase Polycrystalline, utamane (111) orientasi
Kapadhetan
3.21 g / cm³
Hardness
Kekerasan 2500 Vickers (beban 500g)
Ukuran gandum
2~10μm
Kemurnian kimia
99.99995%
Kapasitas panas
640 J·kg-1· K-1
Suhu Sublimasi
2700 ℃
Kekuwatan fleksibal
415 MPa RT 4-titik
Modulus enom
430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Konduktivitas termal
300W·m-1· K-1
Ekspansi Termal (Cte)
4,5 × 10-6K-1
Toko Produksi Semikonduktor VeTek:
Ringkesan rantai industri epitaksi chip semikonduktor:
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Kita nggunakake cookie kanggo menehi pengalaman browsing sing luwih apik, nganalisa lalu lintas situs lan nggawe konten pribadi. Kanthi nggunakake situs iki, sampeyan setuju kanggo nggunakake cookie. Kebijakan Privasi