Susceptor datar lan susceptor laras minangka wangun utama susceptor epi.VeTek Semiconductor minangka produsen LPE Si Epi Susceptor Set lan inovator ing China.We wis khusus ing lapisan SiC lan lapisan TaC nganti pirang-pirang taun. Set dirancang khusus kanggo wafer LPE PE2061S 4 ". Gelar sing cocog karo bahan grafit lan SiC lapisan apik, uniformity banget, lan urip dawa, kang bisa nambah ngasilaken saka wutah lapisan epitaxial sak LPE (Liquid Phase Epitaxy) proses.We welcome sampeyan kanggo ngunjungi pabrik kita ing China.
VeTek Semikonduktor minangka produsen lan supplier Set Penerima LPE Si EPI profesional China. Kanthi kualitas apik lan rega sing kompetitif, welcome kanggo ngunjungi pabrik kita lan nyiyapake kerjasama jangka panjang karo kita.
Semikonduktor Vetek Lpe Epi Susceptor minangka produk dhuwur sing digawe kanthi ngetrapake lapisan silikon karbida menyang permukaan sing diresikigrafit isotropikWaca rangkeng-. Iki diraih liwat vetek semikonduktor pemilikan vokor vokor (CVD).
VeTek Semikonduktor's LPE Si Epi Susceptor Set minangka reaktor laras deposisi epitaxial CVD sing dirancang kanggo nindakake kanthi andal sanajan ing kahanan sing tantangan. Adhesi lapisan sing luar biasa, tahan kanggo oksidasi suhu dhuwur, lan karat dadi pilihan sing cocog kanggo lingkungan sing atos. Kajaba iku, profil termal seragam lan pola aliran gas laminar nyegah kontaminasi, njamin pertumbuhan lapisan epitaxial sing bermutu.
Desain reaktor epitaxial semikonduktor kanthi bentuk tong minyak ngoptimalake aliran gas, supaya panas disebarake kanthi rata. Fitur iki kanthi efektif nyegah kontaminasi lan panyebaran impurities, njamin produksi lapisan epitaxial berkualitas tinggi ing substrat wafer.
Ing vetek semaniktor, kita setya menehi produk kanggo macem-macem produk lan larang regane. Setel Susceptor Lpe Epi nawakake rega kompetitif nalika njaga kapadhetan kanggo landasan grafit lanlapisan silikon karbida. Kombinasi iki njamin perlindungan sing dipercaya ing lingkungan kerja sing suhu dhuwur lan korosif.
DATA SEM FILM CVD SIC
Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC:
Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC
Properti
Nilai khas
Struktur Kristal
FCC β fase polikristalin, utamané (111) oriented
Kapadhetan lapisan CVD
3.21 g / cm³
Kekerasan lapisan SiC
Kekerasan 2500 Vickers (beban 500g)
Ukuran gandum
2 ~ 10mm
Kemurnian kimia
99.99995%
Kapasitas panas
640 J · KG-1· K-1
Suhu sublimasi
2700 ℃
Kekuwatan fleksibal
415 MPa RT 4-titik
Modulus enom
430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Konduktivitas termal
300w · m-1· K-1
Ekspansi Termal (Cte)
4,5 × 10-6K-1
VeTek SemikonduktorLpe yen set supporter EPIToko Produksi
Ringkesan rantai industri epitaksi chip semikonduktor:
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Kita nggunakake cookie kanggo menehi pengalaman browsing sing luwih apik, nganalisa lalu lintas situs lan nggawe konten pribadi. Kanthi nggunakake situs iki, sampeyan setuju kanggo nggunakake cookie. Kebijakan Privasi