Temokake carane lapisan CVD TaC nambah wutah kristal SiC lan manufaktur semikonduktor kanthi stabilitas termal ultra-dhuwur, tahan korosi, penindasan impurity, lan kinerja unggul ing aplikasi MOCVD lan epitaksi.
Deleng komponen utama Aixtron G10 kanggo sistem epitaksi SiC suhu dhuwur. Kita nutupi bagean grafit sing dilapisi CVD SiC, komponen lapisan TaC, lan struktur lapangan termal - lan carane mbantu stabilitas proses, kontrol kemurnian, lan ngasilake wafer ing manufaktur semikonduktor maju.
Sinau apa komponen Halfmoon ing ruang reaksi LPE lan carane ndhukung stabilitas termal, manajemen aliran gas, lan struktur reaktor ing sistem epitaksi SiC. Jelajahi bahan grafit, lapisan CVD SiC, lapisan TaC, lan teknologi reaktor semikonduktor modern.
Kita nggunakake cookie kanggo menehi pengalaman browsing sing luwih apik, nganalisa lalu lintas situs lan nggawe konten pribadi. Kanthi nggunakake situs iki, sampeyan setuju kanggo nggunakake cookie.Kebijakan Privasi