Kabar

Kanggo produksi substrat silikon karbida skala industri, sukses sajrone pertumbuhan siji ora dadi tujuan pungkasan. Tantangan nyata dumunung ing mesthekake yen kristal thukul ing macem-macem kumpulan, alat, lan wektu wektu njaga tingkat dhuwur saka konsistensi lan repeatability ing kualitas. Ing konteks iki, peran lapisan tantalum carbide (TaC) ngluwihi proteksi dhasar-dadi faktor kunci kanggo nyetabilake jendhela proses lan njaga asil produk.

Silikon karbida (SiC) wutah PVT melu siklus termal abot (suhu kamar ndhuwur 2200 ℃). Tekanan termal gedhe banget sing diasilake antarane lapisan lan substrat grafit amarga ora cocog ing koefisien ekspansi termal (CTE) minangka tantangan inti kanggo nemtokake umur lapisan lan linuwih aplikasi.

Ing proses pertumbuhan kristal PVT silikon karbida (SiC), stabilitas lan keseragaman lapangan termal langsung nemtokake tingkat pertumbuhan kristal, Kapadhetan cacat, lan keseragaman materi. Minangka wates sistem, komponen termal-lapangan nuduhake sifat termofisika lumahing sing fluktuasi tipis sing dramatically digedhèkaké ing kahanan suhu dhuwur, wekasanipun ndadékaké kanggo kahanan kang ora tetep ing antarmuka wutah.