Kabar

Bahan kristal tunggal mung ora bisa nyukupi kebutuhan produksi sing tuwuh macem-macem piranti semikonduktor. Ing pungkasan taun 1959, lapisan lancip teknologi pertumbuhan bahan kristal tunggal - wutah epitaksal dikembangake.

Silikon karbida minangka salah sawijining bahan sing cocog kanggo nggawe suhu sing dhuwur, frekuensi dhuwur-dhuwur, piranti dhuwur lan dhuwur voltase. Supaya bisa nambah efisiensi produksi lan nyuda biaya, persiapan substrat karbida kanthi ukuran gedhe minangka arah pangembangan sing penting.

Miturut warta jaban rangkah, rong sumber ngumumake tanggal 24 Juni yen ByteDance kerja sama karo perusahaan desain chip AS Broadcom kanggo ngembangake prosesor komputasi intelijen buatan (AI), sing bakal mbantu ByteDance njamin pasokan chip sing paling dhuwur ing tengah-tengah ketegangan antarane China. lan Amerika Serikat.

Minangka pabrikan utama ing industri SIC, dinamika sing gegandhengan karo SANAN Optoelectronics wis nampa perhatian sing nyebar ing industri kasebut. Bubar, pilih Optoelectronics mbabarake pirang-pirang pangembangan paling anyar, kalebu transformasi 8-inci, produksi pabrik substrat anyar, panyiapan perusahaan anyar lan aspek liyane.

Ing tuwuh kristal sic lan aln nggunakake metode usul isi fisik (pvt), komponen sing penting, pemegang wiji, lan nuntun cincin anyar dadi peran penting. Kaya sing digambarake ing Gambar 2 [1], sajrone proses PVT, wiji kristal kasebut dipanggonke ing wilayah suhu sing luwih murah, dene bahan mentah sic kapapar suhu sing luwih dhuwur (ndhuwur 2400 ℃).

Substrasa karbida karbida duwe cacat lan ora bisa diproses langsung. Film tipis sing tunggal kristal khusus kudu thukul ing proses epitoxial kanggo nggawe chip wafers. Film tipis iki yaiku lapisan epitoxial. Meh kabeh piranti karbida silikon diwujudake ing Bahan Epitoxial. Bahan-bahan Epitide Homogon Carbide Homogon sing berkualitas tinggi minangka dhasar kanggo pangembangan piranti karbida silikon. Kinerja bahan epiuxial langsung nemtokake realisasi kinerja piranti karbida silikon.