Kabar

Ing industri pabrik semikonduktor, miturut ukuran piranti terus nyusut, teknologi pemendhotan bahan tipis wis nuwuhake tantangan sing ora ana gandhengane. Deposisi 40 atom (Ald), minangka teknologi pemantau film tipis sing bisa entuk kontrol tepat ing tingkat atom, wis dadi bagean saka manufaktur semikonduktor. Artikel iki target kanggo ngenalake aliran proses lan prinsip sing bisa mbantu ngerti peran penting ing manufaktur chip maju.

Iku becik kanggo mbangun sirkuit terpadu utawa piranti semikonduktor ing lapisan basa kristal sampurna. Proses epitaksi (epi) ing manufaktur semikonduktor nduweni tujuan kanggo nyimpen lapisan kristal tunggal sing apik, biasane kira-kira 0,5 nganti 20 mikron, ing substrat kristal tunggal. Proses epitaksi minangka langkah penting kanggo nggawe piranti semikonduktor, utamane ing manufaktur wafer silikon.

Bentenane utama antarane epitomain lan deposisi 14 atom (ALD) ana ing mekanisme wutah film lan kahanan operasi. EPITOXYxy nuduhake proses ngembang film tipis kristal ing landasan kristal kanthi hubungan orientasi tartamtu, njaga struktur kristal sing padha utawa padha. Beda, ALD minangka teknik pemendhot sing kalebu mbabarake landasan kanggo macem-macem kimia ing urutan kanggo mbentuk film atom lancip siji.

Lapisan TAC CVD minangka proses kanggo mbentuk lapisan sing padhet lan awet ing substrat (grafit). Cara iki kalebu nyetop TaC ing permukaan substrat kanthi suhu sing dhuwur, nyebabake lapisan tantalum karbida (TaC) kanthi stabilitas termal lan tahan kimia sing apik.

Nalika proses silikon karbida (SiC) 8-inci diwasa, pabrikan nyepetake owah-owahan saka 6 inci dadi 8 inci. Bubar, ON Semiconductor lan Resonac ngumumake nganyari babagan produksi SiC 8 inci.

Artikel iki ngenalake pangembangan paling anyar ing reaktor cvd Tembok Tembok Tembok sing mentas dirancang lan kemampuane nindakake epitimxy sing seragam 4h-SIC ing taun 200mm.