CVD SiC Coated RTP Susceptor

Fitur

• Keseragaman Termal - Difusivitas termal sing dhuwur saka materi kasebut ngidini transfer panas kanthi cepet lan seragam, ndhukung profil suhu wafer sing bisa diulang.
• Tingkat Kemurnian Tinggi - Lapisan CVD SiC entuk kemurnian 99.99995%, kanthi efektif nyuda risiko kontaminasi ion seluler lan logam ing langkah-langkah proses kritis.
• Ketahanan Kimia - Lapisan kasebut nuduhake resistensi sing kuat kanggo spesies korosif, kalebu gas adhedhasar halogen, ing suhu sing luwih dhuwur.
• Keluwesan Desain - Ukuran lan konfigurasi bisa diadaptasi kanggo cocog karo geometri ruang RTP lan ukuran wafer tartamtu.

Aplikasi

• Rapid Thermal Processing (RTP)
• Rapid Thermal Annealing (RTA)
• Aktivasi dopanl Oksidasi lan langkah anil
• Produksi Integrated Circuit (IC).
• Fabrikasi piranti dayaTeknis

Spesifikasi

Kenapa Pilih VeTek Semiconductor?

· Proses lapisan CVD SiC ing omah dikembangake khusus kanggo syarat kelas semikonduktor.

· Kapabilitas terpadu kanggo pemurnian grafit, mesin presisi, lan kontrol ketebalan lapisan.

· Adhesion lapisan sing wis kabukten lan seragam lapisan ing produksi batch.

· Dhukungan teknik kanggo desain susceptor khusus sing kompatibel karo platform alat RTP utama.

· Inspeksi materi sing mlebu sing ketat, pemantauan ing proses, lan uji kualifikasi pungkasan njamin konsistensi batch-to-batch.