Bubuk SiC Kemurnian Tinggi kanggo Pertumbuhan Kristal SiC

1. Fitur Utama

· Tingkat Kemurnian Dhuwur:Kapabilitas kemurnian nganti 99.9999% (kelas 6N).

· Kotoran Logam Ultra-Rendah:Kontaminasi logam tilak minimal sing dioptimalake kanggo pertumbuhan kristal SiC.

· Transparansi Penuh:Data pengujian GDMS lengkap (Glow Discharge Mass Spectrometry) kasedhiya kanggo saben batch.

· Kinerja Thermal Stabil:Prilaku sublimasi sing bisa diprediksi lan seragam sajrone wutah PVT.

· Distribusi Ukuran Partikel Kontrol:Granulometri dipantau kanthi teliti kanggo njaga kapadhetan kemasan sing konsisten.

· Formulasi sing disesuaikan:Ukuran partikel khusus lan kurva distribusi kasedhiya yen dikarepake.

· Standar Mutu Semikonduktor:Diproduksi kanthi ketat miturut sistem manajemen kualitas kelas semikonduktor.

2. Visual produk

3. Spesifikasi Teknis

4. Aplikasi

· Pertumbuhan Kristal SiC PVT:Ingot SiC konduktif & Semi-Isolasi.

· Substrat semikonduktor:Substrat wafer & bahan baku pangolahan epitaxial.

· Komponen Termal High-End:Komponen Keramik Lanjut lan lapisan susceptor.

· Aplikasi R&D:Riset elektronik daya generasi sabanjure lan piranti frekuensi dhuwur.

5. Kenapa Pilih VeTek Semiconductor?

· Purifikasi Proprietary:Teknik pemurnian majeng ngirimake kemurnian nganti 6N kanggo pertumbuhan kristal tunggal.

· Kontrol kualitas sing ketat:Jaminan kualitas khusus kanthi kontrol kontaminasi kelas semikonduktor sing ketat.

· Fleksibilitas Kustomisasi:Ukuran partikel khusus sing fleksibel supaya pas karo spesifikasi tungku tungku PVT sing beda.

· Rantai Pasokan Stabil:Kapasitas pasokan sing dipercaya njamin pangiriman produksi massal jangka panjang sing stabil.

· Keahlian Teknis:Dhukungan teknis lengkap sing cocog karo proses pertumbuhan kristal tartamtu.