Vetek Semiconductor profesional ing lapisan lapisan CVD CVD, lapisan lapisan grafit lan silikon karbida. Kita nyedhiyakake produk OEM lan ODM kaya Payestal Coated Sic, Chefer Chuck, Trik Wefer, Kita bisa nyedhiyani piranti kanthi cepet ing ngisor 5ppm.Looking maju Saka sampeyan rauh.
Kanthi pirang-pirang taun pengalaman produksi grafiten sing dilapisi SIC, Semikonductor Vetek bisa nyedhiyakake macem-macem alangan sing dilapisi. Payestal sing ditutupi SIC kanthi kualitas apik bisa ketemu pirang-pirang aplikasi, yen sampeyan butuh, njaluk layanan wektu kanthi cepet babagan pedestal sing dilapisi SIC. Saliyane dhaptar produk ing ngisor iki, sampeyan uga bisa ngatur pedestal sing diluncurake kanthi unik miturut kabutuhan khusus sampeyan.
Dibandhingake karo cara liyane, kayata MBE, LPE, PLD, cara MOCVD nduweni kaluwihan efisiensi wutah sing luwih dhuwur, akurasi kontrol sing luwih apik lan biaya sing relatif murah, lan akeh digunakake ing industri saiki. Kanthi nambah dikarepake kanggo bahan epitaxial semikonduktor, utamané kanggo wid aE sawetara bahan epitexial optoelectron kayata ld lan dipimpin, penting kanggo ngetrapake desain peralatan anyar kanggo nambah kapasitas produksi lan nyuda biaya.
Antarane wong-wong mau, tray grafit dimuat karo landasan digunakake ing wutah epitaxial MOCVD minangka bagéyan penting saka peralatan MOCVD. Tray grafit digunakake ing wutah epitaxial klompok III nitrida, supaya karat saka amonia, hidrogen lan gas liyane ing grafit, umume ing lumahing tray grafit bakal dilapisi karo lapisan protèktif silikon karbida seragam lancip.
Ing wutah epitaxial materi, uniformity, konsistensi lan konduktivitas termal saka lapisan protèktif karbida silikon dhuwur banget, lan ana syarat tartamtu kanggo urip. Pedestal dilapisi SiC Vetek Semiconductor nyuda biaya produksi palet grafit lan nambah umur layanan, sing duwe peran gedhe kanggo nyuda biaya peralatan MOCVD.Pedestal sing dilapisi SiC uga minangka bagéyan penting saka kamar reaksi MOCVD, sing kanthi efektif ningkatake efisiensi produksi.
Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC:
Properties fisik dhasar lapisan SIC CVD
Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC
Properti
Nilai Khas
Struktur kristal
FCC β fase polikristalin, utamané (111) oriented
Kapadhetan
3.21 g / cm³
Kekerasan
2500 Vickers (52G Muu)
Ukuran gandum
2 ~ 10mm
Kemurnian kimia
99.99995%
Kapasitas panas
640 J · KG-1· K-1
Suhu sublimasi
2700 ℃
Kekuwatan fleksibal
415 MPa RT 4-titik
Modulus enom
430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Konduktivitas termal
300w · m-1· K-1
Thermal Expansion (CTE)
4,5 × 10-6K-1
Iku semikonduktorPayestal dilapisi SICToko produksi:
Ringkesan rantai industri epitaksi chip semikonduktor:
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Kita nggunakake cookie kanggo menehi pengalaman browsing sing luwih apik, nganalisa lalu lintas situs lan nggawe konten pribadi. Kanthi nggunakake situs iki, sampeyan setuju kanggo nggunakake cookie. Kebijakan Privasi