Milih CVD SiC sing tepat, lapisan TaC utawa Solid SiC langsung nemtokake tingkat partikel lan umur komponen ing garis epitaksi / etsa. Artikel iki nyedhiyakake wates pilihan sing jelas miturut suhu, atmosfer lan proses, dicocogake karo solusi panggantos peralatan utama lan metrik kunci, kanggo mbantu sampeyan nggawe keputusan kanthi cepet lan nyuda resiko.
Temokake carane teknologi laser sing dipandu banyu VeTek ngirimake bolongan tembus Φ0.15mm seragam ing substrat SiC 2mm tanpa lancip, HAZ minimal lan ngasilake dhuwur kanggo aplikasi semikonduktor.
Masalah teknis sing paling tantangan kanggo pin angkat kothong peralatan semikonduktor ora lapisan permukaan njaba, nanging entuk lapisan CVD sing stabil lan seragam ing tembok njero struktur kothong. Saka kontrol keseragaman lapisan njero tembok nganti jaminan kebersihan bolongan internal, saben langkah proses langsung mengaruhi asil wafer. Artikel iki nganalisa tantangan inti saka lapisan njero tembok pin angkat kothong lan jalur teknis utama.
Kita nggunakake cookie kanggo menehi pengalaman browsing sing luwih apik, nganalisa lalu lintas situs lan nggawe konten pribadi. Kanthi nggunakake situs iki, sampeyan setuju kanggo nggunakake cookie. Kebijakan Privasi