Perahu Wafer Dilapisi SiC CVD Kemurnian Tinggi

1. Faktor Kinerja Inti?

• Kemurnian ing Level 7N:Kita njaga standar kemurnian 99.99999% (7N). Iki non-negotiable kanggo nyegah rereged logam saka migrasi menyang wafer sak dawa drive-in utawa langkah oksidasi.
• Seal CVD (50–300μm):Kita ora mung "ngecet" permukaan. Lapisan SiC CVD 50-300μm kita nggawe segel total ing substrat. Iki ngilangake porositas, tegese prau ora bakal njebak bahan kimia utawa ngeculake partikel sanajan sawise bola-bali paparan gas reaktif utawa reresik SPM/DHF sing agresif.
• Kekakuan termal:Ekspansi termal rendah alami Silicon Carbide ndadekake prau kasebut lurus. Padha ora sag utawa corak sak Rapid Thermal Annealing (RTA), mesthekake lengen robot tansah mencet slot tengen tanpa jamming.
• Hasil Sustained:Lumahing dirancang kanggo adhesi produk sampingan sing kurang. Kurang akumulasi tegese luwih sithik partikel sing kena ing wafer lan luwih akeh mlaku ing antarane siklus reresik wet-bench.
• Geometri Kustom:Saben fab duwe persiyapan dhewe. We machine iki kanggo Pitch tartamtu lan gambar Slot, apa sampeyan lagi mbukak pawon horisontal utawa vertikal 300mm baris otomatis.

2. Kompatibilitas Proses

• Suasana:Tahan kanggo TMGa, AsH₃, lan lingkungan O₂ konsentrasi dhuwur.
• Range termal:Operasi jangka panjang sing stabil nganti 1400 ° C.
• Bahan:Dirancang khusus kanggo proses oksidasi lan difusi saka wafer Logika, Daya, lan Analog.