Teknologi MOCVD

VeTek Semiconductor duweni kauntungan lan pengalaman ing spare parts Teknologi MOCVD.

MOCVD, jeneng lengkap Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (metal-organic Chemical Vapor Deposition), uga bisa disebut metal-organic vapor phase epitaxy. Senyawa organologam minangka kelas senyawa kanthi ikatan logam-karbon. Senyawa kasebut ngemot paling ora siji ikatan kimia antarane logam lan atom karbon. Senyawa logam-organik asring digunakake minangka prekursor lan bisa mbentuk film tipis utawa struktur nano ing substrat liwat macem-macem teknik deposisi.

Deposisi uap kimia logam-organik (teknologi MOCVD) minangka teknologi pertumbuhan epitaxial sing umum, teknologi MOCVD akeh digunakake ing pabrik laser semikonduktor lan led. Utamane nalika nggawe led, MOCVD minangka teknologi utama kanggo produksi gallium nitride (GaN) lan bahan sing gegandhengan.

Ana rong wangun utama Epitaxy: Liquid Phase Epitaxy (LPE) lan Vapor Phase Epitaxy (VPE). Epitaksi fase gas bisa dipérang manèh dadi deposisi uap kimia logam-organik (MOCVD) lan epitaksi sinar molekul (MBE).

Produsen peralatan manca utamane diwakili dening Aixtron lan Veeco. Sistem MOCVD minangka salah sawijining peralatan utama kanggo nggawe laser, led, komponen fotoelektrik, daya, piranti RF lan sel surya.

Fitur utama suku cadang teknologi MOCVD sing diprodhuksi dening perusahaan kita:

1) Kapadhetan dhuwur lan enkapsulasi lengkap: basa grafit sacara sakabehe ana ing suhu sing dhuwur lan lingkungan kerja sing korosif, permukaan kudu dibungkus kanthi lengkap, lan lapisan kasebut kudu nduweni densifikasi sing apik kanggo nduwe peran protèktif sing apik.

2) Flatness lumahing apik: Amarga basa grafit digunakake kanggo wutah kristal siji mbutuhake flatness lumahing dhuwur banget, flatness asli basa kudu maintained sawise nutupi wis disiapake, sing, lapisan nutupi kudu seragam.

3) kekuatan iketan Good: Ngurangi prabédan ing koefisien saka expansion termal antarane basa grafit lan materi nutupi, kang bisa èfèktif nambah kekuatan iketan antarane loro, lan nutupi ora gampang kanggo kokain sawise ngalami panas suhu dhuwur lan kurang. siklus.

4) konduktivitas termal dhuwur: wutah chip kualitas dhuwur mbutuhake basa grafit kanggo nyedhiyani panas cepet lan seragam, supaya materi nutupi kudu konduktivitas termal dhuwur.

5) titik leleh dhuwur, resistance oksidasi suhu dhuwur, resistance karat: lapisan kudu bisa stably ing suhu dhuwur lan lingkungan apa corrosive.

Selehake substrat 4 inci
Epitaxy biru-ijo kanggo tuwuh LED
Dumunung ing kamar reaksi
Kontak langsung karo wafer Selehake substrat 4 inci
Digunakake kanggo tuwuh film epitaxial LED UV
Dumunung ing kamar reaksi
Kontak langsung karo wafer Mesin Veeco K868 / Veeco K700
Epitaksi LED putih/Epitaksi LED biru-ijo Digunakake ing VEECO Equipment
Kanggo MOCVD Epitaxy
SiC Coating Susceptor Aixtron TS Equipment
Deep Ultraviolet Epitaxy
Substrat 2-inch Peralatan Veeco
Epitaxy LED Abang-Kuning
Substrat Wafer 4-inch TaC Coated Susceptor
(SiC Epi/UV LED Receiver) SiC Coated Susceptor
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD Susceptor)