Ring Panuntun Grafit Porous

Kaluwihan Produk Inti

1. Kemurnian Ultra-High & Jaminan Kurang Cacat

Ngadopsi proses pemurnian suhu dhuwur vakum 3000 ℃ kanggo mbusak impurities non-logam kayata oksigen lan nitrogen, nambah kemurnian produk dadi ≥99.9995%. Ngilangake cacat kristal sing disebabake dening impurity (contone, mikrotubulus, dislokasi) saka sumber, njamin konsistensi lan stabilitas sifat listrik kristal tunggal SiC, lan nggawe dhasar sing kuat kanggo pertumbuhan kristal sing berkualitas tinggi.

2. Stabilitas Suhu Ultra-High & Regulasi Lapangan Termal sing Presisi

Bisa tahan suhu dhuwur banget saka 2200 ℃ ing lingkungan argon utawa vakum, operasi terus-terusan lan stably kanggo liwat 1000 jam tanpa softening utawa deformasi. Produk kasebut nduweni koefisien ekspansi termal sing kurang, sing bisa nyegah retakan materi sing disebabake dening stres termal. Ndhukung desain distribusi gradien porositas (15-30%) lan ngoptimalake ukuran pori (10-200μm) digabungake karo teknologi simulasi CFD (Computational Fluid Dynamics), ngontrol fluktuasi gradien suhu ing ± 3 ℃ lan ningkatake keseragaman lapangan termal lan konsistensi pertumbuhan kristal kanthi signifikan.

3. Customized Adaptasi & Full-Skenario Kepuasan

• Adaptasi Bentuk Geometris: Bisa ngolah bentuk kompleks kanthi akurat kayata tong minyak annular lan struktur tameng multi-lapisan miturut struktur tungku pelanggan kanggo entuk cocog lan instalasi sing sampurna.
• Kustomisasi Proses Permukaan: Nyedhiyakake layanan perawatan permukaan khusus kayata polishing ultra-tliti lan lapisan khusus, ningkatake resistensi korosi lan umur layanan.

4. Kinerja-Diverifikasi & Efisiensi Nganyarke

• Nalika digunakake minangka komponen lapangan termal inti ing proses kristalisasi PVT SiC, wis diverifikasi ing skenario praktis:
• Tingkat wutah kristal tambah dening 15% -20% dibandhingake karo produk grafit tradisional, Ngartekno shortening siklus produksi.
• Ngasilake wafer kristal tunggal SiC 4-inch ngluwihi 90%, kanthi efektif nyuda biaya produksi.
• Siklus pangopènan peralatan ditambah saka 3 sasi konvensional nganti 6 sasi, ngurangi frekuensi pangopènan mati lan ningkatake efisiensi produksi.
  
  

Skenario Aplikasi

• PVT Growth Furnace Assembly: Serves minangka komponèn inti kanggo sublimation materi SiC lan wutah kristal, nyediakake distribusi lapangan termal stabil lan seragam kanggo mesthekake proses Gamelan saka proses crystallization.
• Komponen Thermal Field Shielding: Struktur keropos unik bisa kanthi efektif nahan stres termal, nyuda nyandhang peralatan, lan ngluwihi umur layanan sakabèhé peralatan.
• Aksesori Dhukungan Kristal Wiji: Nduwe kekuatan mekanik sing dhuwur kanggo ndhukung kristal wiji kanthi stabil, njamin presisi pertumbuhan kristal arah.
• Lapisan Difusi Gas: Ngoptimalake efisiensi transfer fase gas, ningkatake sublimasi seragam lan deposisi bahan mentah, lan nambah kualitas kristal tunggal lan tingkat pertumbuhan.

Parameter teknis

Inti Kompetitif Highlights

• Kinerja Suhu Dhuwur Ekstrem: Njaga stabilitas struktural ing 2200 ℃ tanpa softening utawa deformasi, ndhukung operasi terus-terusan luwih saka 1000 jam kanggo nyukupi syarat proses sing ekstrim.
• Solusi Lapangan Termal Khusus: Ngandelake teknologi simulasi CFD kanggo ngoptimalake desain gradien pori, kanthi pas karo kabutuhan proses pelanggan lan ningkatake keseragaman kristal lan ngasilake produk.
• Layanan Tanggap Cepet: Nyedhiyakake layanan tes pencocokan parameter proses lan ngirim solusi prototipe sajrone 72 jam, mbantu para pelanggan nyepetake proses R&D lan produksi.