Carrier wafer sing dilapisi kanggo etching

Aplikasi inti saka operator sing dilapisi kanggo proses etching

1. Gan Film Wutah lan Etching In Lamp Manufaktur

Pelanggan sing dilapisi SIC (kayata operator ETCH PSS) digunakake kanggo ndhukung substrat sapir (patternang sapir, PSS) ing produksi ledah (MOCVD) saka film sing dhuwur (Gan) ing suhu sing dhuwur. Operator kasebut banjur dicopot dening proses etching udan kanggo mbentuk mikrostruktur lumahing kanggo nambah efisiensi ekstraksi sing entheng.

Peran utama: Operator wafer kudu tahan suhu nganti 1600 ° C lan korosi kimia ing lingkungan lingkungan lingkungan plasma. Kemurnian dhuwur (99.99995%) lan kapadhetan lapisan SIC nyegah kontaminasi logam lan njamin keseragaman film Gan.

2. Plasma semikonduktor / Proses etching garing

IngICP (Plasma sing gegandhengan karo industri), Operator dilapisi SIC entuk distribusi panas seragam liwat desain udara sing dioptimalake (kayata mode aliran laminar), ngindhari panyebaran sing ora sopan, lan nambah akurasi etching. Contone, operator sing ditutupi ICP sing ditutupi ICETSemicon bisa tahan suhu sublimasi 2700 C lan cocog kanggo lingkungan plasma sing dhuwur.

3. Manufaktur piranti solar lan daya

Carriers SIC nindakake kanthi apik ing panyebaran suhu dhuwur lan etching saka wafers ing lapangan Photovoltaic. Koefision ekspansi termal sing kurang (4,5 × 10⁻⁶ / k) nyuda ubah sing disebabake dening stres termal lan ngluwihi layanan layanan.

Properties fisik lan kaluwihan saka Carrier wafer SIC Coated kanggo Etching

1. Toleransi kanggo lingkungan sing ekstrem:

Stabilitas suhu dhuwur:Pelapisan SIC CVDBisa mlaku ing udhara 1600 ° C utawa lingkungan lingkungan lingkungan 2200 ° C nganti suwe, sing luwih dhuwur tinimbang para operator kuarsa tradisional utawa grafit.

Rintangan karat: SIC duwe resistansi sing apik kanggo asam, alkali, uyah lan pelarut organik, lan cocog kanggo garis produksi reresik semikonduktor kanthi reresik kimia.

2. Frasa termal lan mekanik:

Konduktivitas termal dhuwur (300 w / mk): Pembuangan panas kanthi cepet nyuda kecerunan termal, mesthekake keseragaman suhu wafer, lan ngindhari penebalan film.

Kekuwatan mekanik tinggi: Kekuwatan flextural udakara udakara 415 MPA (suhu kamar (suhu kamar), lan isih njaga kekuatan luwih saka 90% kanthi suhu sing dhuwur, ngindhari operator utawa delaminasi.

Lumahing Rampung: SSIK (tekanan (tekanan SSIK SALIKON SILIKON) duwe kekerasan permukaan sing sithik (<0.1μm), nyuda panitah partikel lan nambah ngasilake wafer lan nambah ngasilake wafer lan nambah ngasilake wafer lan nambah ngasilake wafer lan nambah ngasilake wafer lan nambah ngasilake wafer.

3. Optimizasi material materi:

Bentenane ekspansi termal ing antarane landasan Grafis lan lapisan SIC: kanthi nyetel proses lapisan (kayata stres antarmuka dikurangi lan lapisan kasebut dicegah saka peeling.

Kesucian lan cacat rendah: proses CVD njamin kesucian lapisan> 99.9999%, ngindhari kontaminasi Logam saka proses sensitif (kayata manufaktur piranti sic).

Banjurc Properties fisik saka lapisan SIC CVD

Struktur Film Wanita CVD SIC CVD

Toko sexemomicon