SIC Edge Cincin

Ing bidang semikonduktor, pabrik sik pinggiran, amarga komponen inti peralatan pangolahan wafer, yaiku revolusi lanskap industri kanthi sifat-sifat material. Nilai komponen presisi iki digawe saka kristal tunggal silikon karbida ora mung ing konten sing dhuwur, nanging uga ing perbaikan sing penting kanggo ngasilake lan optimisasi biaya operasi sing bisa digawa menyang produsen chip.

Ciriistik strukturing struktural sik

Cincin karbida karbida yaiku komponen konsumsi kunci ing peralatan etchonduktor lan digawe saka bahan karbida silikon silikon dhuwur sing disiapake dening metode vapor (CVD) kimia. Dhiameter struktur bulan kasebut biasane 20050mm, lan kekandelan dikendhaleni sajrone 5-15mm, nampilake karakteristik ing ngisor iki:

1.extreme Toleransi: bisa tahan lingkungan suhu dhuwur 1500 ℃

2 .. Stabilitas Plasma: Konstantasi dielektrik 9.7, Breakdown Voltage 3MV / cm

3 .. akurasi geometrik: Kesalahan babak ≤0,05mm, kasarasan permukaan ra <0.2μm

Terobosan ing proses manufaktur

Proses persiapan moder nganggo metode telung tahap:

1. Matrix Formulir: Formulir Plancongan Isosatir njamin Kapadhetan Seragam

2. Sintering suhu dhuwur: perawatan densifikasi ing swasana ing 2100 ℃

3. Modifikasi permukaan: Lapisan pelindung nanoskale dibentuk liwat etching ion reaktif (rie). Panliten paling anyar nuduhake manawa gesang layanan cincin karbida pinggir peran disigar kanthi 3%, lan tingkat kontaminasi wafer dikurangi menyang level 0.01ppm

Skenario aplikasi

Iki nuduhake irrepability ing proses ing ngisor 5nm:

2 .. Kesuburan etching: bisa njaga panyimpangan tingkat etching ± 1,5% ing pinggiran wafer

3. Kontrol polusi: Nyuda polusi logam kanthi 92% dibandhingake karo bahan kuarsa tradisional

4. Siklus pangopènan: bisa digunakake terus-terusan sajrone 1500 jam ing cf4 / o2 plasma

VetekSemicon wis ngrampungake terobosan ing produksi domestik cincin sic Edge, sing bisa ngirit akeh biaya. Sugeng rawuh ing sembarang wektu!