TaC Coated Graphite Wafer Cover Ring

Kaluwihan Teknis Inti

• Resistance Kimia sing luar biasa: Dirancang kanggo nahan gas etsa keras (H₂, NH₃, HCl) ing suhu antara 1200°C lan 2000°C.

• Thermal Expansion Matching: Proses CVD proprietary kita njamin lapisan TaC nduweni cocog CTE (Koefisien Ekspansi Termal) sing dioptimalake karo substrat grafit, nyegah peeling utawa retak sajrone siklus termal kanthi cepet.

• Kontrol Partikel Unggul: Kanthi nutup grafit keropos kanthi lengkap, lapisan TaC ngilangi partikel partikel, langsung nambah asil wafer lan nyuda downtime reaktor.

• Urip Service Extended: Lumahing tahan banget nyandhang sing tahan siklus reresik bola-bali, nawakake Biaya Kepemilikan (CoO) sing luwih murah dibandhingake karo alternatif sing ora dilapisi utawa dilapisi SiC.

Lapisan tantalum karbida (TaC) ing bagean silang mikroskopis

Parameter produk saka TaC Coated Graphite Wafer Cover Ring

Napa Pilih Cincin TaC Cover Kita?

Kita ngerti yen ing fabrikasi semikonduktor, linuwih padha karo untung. Dering Penutup Wafer Graphite Coated TaC kita diuji batch kanggo kapadhetan lan kemurnian lapisan. Apa sampeyan transisi saka produksi wafer 6-inch kanggo 8-inch utawa ngoptimalake proses MOCVD suhu dhuwur, dering kita nyedhiyani shielding termal lan kimia perlu kanggo epitaxy kelas donya.